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| Marca | Samsung | |
| Modelo | MZ-V9S4T0BW | |
| Capacidade | - 4TB | |
| Interface | - PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 | |
| Tamanho | - M.2 (2280) | |
| Desempenho | - Leitura seqüencial: até 7250 MB/s - Escrita seqüencial: até 6300 MB/s - Leitura seqüencial: até 7250 MB/s - Escrita sequencial: até 6300 MB/s - Leitura aleatória (4KB, QD32): até 1.050.000 IOPS - Escrita aleatória (4KB, QD32): até 1.400.000 IOPS Escrita aleatória (4KB, QD32): até 1.400.000 IOPS | |
| Caraterísticas | - Memória cache: HMB (Host Memory Buffer) - Suporte TRIM - Suporte S.M.A.R.R.T. - GC(Garbage collection): Algoritmo automatizado de recolha de lixo - SUPORTE DE ENCRIPTAÇÃO Encriptação AES 256-bit (Classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (unidade de encriptação) IEEE1667 (unidade encriptada) - Suporte WWN - Suporte do modo de suspensão do dispositivo Energia Energia Consumo de energia - Consumo médio de energia (nível do sistema): Média: Leitura 5,5 W / Escrita 4,8 W - Consumo de energia (inativo): Típico 60 mW - Consumo de energia (dispositivo inativo): Típico de 5 mW - Tensão permitida: 3,3 V ± 5 % Tensão permitida - Fiabilidade (MTBF): Fiabilidade de 1,5 milhões de horas (MTBF) - Temperatura de funcionamento: 0 - 70 C Temperatura de funcionamento - Choque: 1.500 G e 0,5 ms (meio seno) Dimensões e peso br /> - 80,15 x 22,15 x 2,38mm - Max. 9 g |
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| Data de revisão | .17-10-2024 por RTY |
MZ-V9S4T0BW
Referências específicas
- ean13
- 8806095575667
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